Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
                                       Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
 
                             11 gevonden resultaten
nr titel auteur tijdschrift jaar jaarg. afl. pagina('s) type
1 Advantages of the extended finite element method for the analysis of crack propagation in power modules Nwanoro, Kenneth Chimezie

4 C p.
artikel
2 A review of PETT oscillation's characteristics, mechanism, and suppression methods in the IGBT device Feng, Ganyu

4 C p.
artikel
3 Gate Ringing in Superjunction MOSFETs with a Parasitic Capacitance in the Load Inductor Kang, Hyemin

4 C p.
artikel
4 ICeGaNTM technology: The easy-to-use and self-protected GaN power IC Longobardi, Giorgia

4 C p.
artikel
5 Impact of post-deposition anneal on ALD Al2O3/etched GaN interface for gate-first MOSc-HEMT Fernandes Paes Pinto Rocha, P.

4 C p.
artikel
6 Investigation on safe-operating-area degradation and failure modes of SiC MOSFETs under repetitive short-circuit conditions Zhang, Ziyang

4 C p.
artikel
7 Layer-by-layer printable nano-scale polypropylene for precise control of nanocomposite capacitor dielectric morphologies in metallised film capacitors Greenbank, William

4 C p.
artikel
8 Lifetime modeling of solder joints based on accelerated mechanical testing and Finite Element Analysis Lederer, M.

4 C p.
artikel
9 PECVD SiN x passivation with more than 8 MV/cm breakdown strength for GaN-on-Si wafer stress management Moser, Matthias

4 C p.
artikel
10 Simulation Study of a 650V Hybrid-Channel SiC Trench MOSFET with Improved On-State Performance Zhang, L.

4 C p.
artikel
11 Thick gate oxide extrinsic breakdown – The potential role of neutral hydrogen atom Cheung, Kin P

4 C p.
artikel
                             11 gevonden resultaten
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland