|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 11 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of post-deposition anneal on ALD Al2O3/etched GaN interface for gate-first MOSc-HEMT |
| Auteur: |
Fernandes Paes Pinto Rocha, P. Vauche, L. Mohamad, B. Vandendaele, W. Martinez, E. Veillerot, M. Spelta, T. Rochat, N. Gwoziecki, R. Salem, B. Sousa, V. |
| Verschenen in: |
Power electronic devices and components |
| Paginering: | Jaargang 4 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 11 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |