|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 11 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation on safe-operating-area degradation and failure modes of SiC MOSFETs under repetitive short-circuit conditions |
| Auteur: |
Zhang, Ziyang Liang, Lin Fei, Haoyang |
| Verschenen in: |
Power electronic devices and components |
| Paginering: | Jaargang 4 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Authors |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 11 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |