|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 11 gevonden artikelen
| Titel: |
PECVD SiN x passivation with more than 8 MV/cm breakdown strength for GaN-on-Si wafer stress management |
| Auteur: |
Moser, Matthias Pradhan, Mamta Alomari, Mohammed Heuken, Michael Schmitt, Thomas Kallfass, Ingmar Burghartz, Joachim N. |
| Verschenen in: |
Power electronic devices and components |
| Paginering: | Jaargang 4 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 11 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |