Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige    volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 9 van 11 gevonden artikelen
 
 
  PECVD SiN x passivation with more than 8 MV/cm breakdown strength for GaN-on-Si wafer stress management
 
 
Titel: PECVD SiN x passivation with more than 8 MV/cm breakdown strength for GaN-on-Si wafer stress management
Auteur: Moser, Matthias
Pradhan, Mamta
Alomari, Mohammed
Heuken, Michael
Schmitt, Thomas
Kallfass, Ingmar
Burghartz, Joachim N.
Verschenen in: Power electronic devices and components
Paginering: Jaargang 4 () nr. C pagina's p.
Jaar: 2023
Inhoud:
Uitgever: Published by Elsevier B.V.
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 9 van 11 gevonden artikelen
 
<< vorige    volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland