|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
Tunneling in MOS Systems: The Dependence of the Effective Barrier Height on the Structure of the Transition Layer at the Si/SiO2Interface in the Presence of Impurities |
| Auteur: |
G. Ya. Krasnikov N. A. Zaitsev I. V. Matyushkin |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 30 (2001) nr. 5 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2001-09/10-/10 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic/Plenum Publishers, New York, U.S.A. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |