|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
Tunneling in MOS Systems: The Dependence of the Effective Barrier Height on the Structure of the Transition Layer at the Si/SiO2Interface in the Presence of Impurities |
| Auteur: |
Krasnikov, G. Ya. Zaitsev, N. A. Matyushkin, I. V. |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 30 (2001) nr. 5 pagina's 317-323 |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers-Plenum Publishers, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 18 gevonden artikelen
| << vorige |