|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
Device Characteristics of GaInSb/AlGaSb Quantum Well Lasers Monolithically Grown on GaAs Substrates by Using an Interfacial Misfit Array |
| Auteur: |
Tatebayashi, J. Jallipalli, A. Kutty, M.N. Huang, S.H. Rotter, T.J. Balakrishnan, G. Dawson, L.R. Huffaker, D.L. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 37 (2008) nr. 12 pagina's 1758-1763 |
| Jaar: |
2008 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |