|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 14 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Gate oxide reliabilities in MOS (metal-oxide-semiconductor) structures with Ti-polycide gates |
| Auteur: |
Kim, H. S. Ko, D. H. Bae, D. L. Lee, N. I. Kim, D. W. Kang, H. K. Lee, M. Y. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 27 (1998) nr. 4 pagina's L21-L25 |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 14 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |