|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 39 van 55 gevonden artikelen
| Titel: |
New structure with SiO2-gate-dielectric select gates in vertical-channel three-dimensional (3D) NAND flash memory |
| Auteur: |
Wang, Bo Gao, Bin Wu, Huaqiang Qian, He |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 78 (2017) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 39 van 55 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |