|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 32 gevonden artikelen
| Titel: |
Evidence for causality between GaN RF HEMT degradation and the EC-0.57eV trap in GaN |
| Auteur: |
Arehart, A.R. Sasikumar, A. Via, G.D. Poling, B. Heller, E.R. Ringel, S.A. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 56 (2016) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 32 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |