|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 23 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Synergistic effect of total ionizing dose and electromagnetic interference in SRAM using 22 nm FDSOI technology |
| Auteur: |
Shang, Yinyin Gao, Chenhe Zhao, Xing Li, Binhong Li, Jianzhong Zhu, Wei Wu, Jianfei Zhang, Hongli Luo, Jun Ye, Tianchun Li, Jun Hu, Changhua |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 169 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 23 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |