|
Synergistic effect of total ionizing dose and electromagnetic interference in SRAM using 22 nm FDSOI technology |
|
|
|
Titel: |
Synergistic effect of total ionizing dose and electromagnetic interference in SRAM using 22 nm FDSOI technology |
Auteur: |
Shang, Yinyin Gao, Chenhe Zhao, Xing Li, Binhong Li, Jianzhong Zhu, Wei Wu, Jianfei Zhang, Hongli Luo, Jun Ye, Tianchun Li, Jun Hu, Changhua |
Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
Paginering: |
Jaargang 169 () nr. C pagina's p. |
Jaar: |
2025 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|