|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Study on gate oxide reliability of SiC power MOSFETs under 300 MeV proton irradiation |
| Auteur: |
Xu, Jingyi Wei, Ying Zhang, Dan Yu, Xuefeng Liang, Xiaowen Guo, Qi Xiang, Yutang Feng, Jie |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 169 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Authors |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |