|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
Study on single-event burnout hardening with reduction of hole current density by top polysilicon diode of SOI LDMOS based on TCAD simulations |
| Auteur: |
Niu, Wenze Dai, Hongli Wang, Luoxin Xue, Yuming Lyu, Haitao Guo, Jinjun |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 163 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |