|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 27 gevonden artikelen
| Titel: |
Influence of deep level trap charges on the reliability of asymmetric doped double gate JunctionLess transistor (AD-DG-JLT) |
| Auteur: |
Kumari, Vandana Nisa, Khan Mehar Un Gupta, Mridula Saxena, Manoj |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 148 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 27 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |