|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 63 van 115 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of doping and geometry on breakdown voltage of semi-vertical GaN-on-Si MOS capacitors |
| Auteur: |
Favero, D. De Santi, C. Mukherjee, K. Borga, M. Geens, K. Chatterjee, U. Bakeroot, B. Decoutere, S. Rampazzo, F. Meneghesso, G. Zanoni, E. Meneghini, M. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 138 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 63 van 115 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |