|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Relative effectiveness of high-k passivation and gate-connected field plate techniques in enhancing GaN HEMT breakdown |
| Auteur: |
Prasannanjaneyulu, Bhavana Karmalkar, Shreepad |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 110 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |