Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige   
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 25 van 25 gevonden artikelen
 
 
  Unveiling the mechanism behind the negative capacitance effect in Hf0.5Zr0.5O2-Based ferroelectric gate stacks and introducing a Circuit-Compatible hybrid compact model for Leakage-Aware NCFETs
 
 
Titel: Unveiling the mechanism behind the negative capacitance effect in Hf0.5Zr0.5O2-Based ferroelectric gate stacks and introducing a Circuit-Compatible hybrid compact model for Leakage-Aware NCFETs
Auteur: Singh, Khoirom Johnson
Acharya, Lomash Chandra
Bulusu, Anand
Dasgupta, Sudeb
Verschenen in: Solid-state electronics
Paginering: Jaargang 216 () nr. C pagina's p.
Jaar: 2024
Inhoud:
Uitgever: Elsevier Ltd
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 25 van 25 gevonden artikelen
 
<< vorige   
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland