|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Capacitance estimation for InAs Tunnel FETs by means of full-quantum k · p simulation |
| Auteur: |
Gnani, E. Baravelli, E. Gnudi, A. Reggiani, S. Baccarani, G. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 108 (2015) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |