|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Demonstration of higher electron mobility in Si nanowire MOSFETs by increasing the strain beyond 1.3% |
| Auteur: |
Luong, G.V. Knoll, L. Blaeser, S. Süess, M.J. Sigg, H. Schäfer, A. Trellenkamp, S. Bourdelle, K.K. Buca, D. Zhao, Q.T. Mantl, S. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 108 (2015) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |