|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Assessment of technological and geometrical device parameters by low-frequency noise investigation in SOI omega-gate nanowire NMOS FETs |
| Auteur: |
Koyama, M. Cassé, M. Barraud, S. Ghibaudo, G. Iwai, H. Faynot, O. Reimbold, G. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 108 (2015) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |