|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
A new lifetime prediction method for hot-carrier degradation in n-MOSFETs with ultrathin gate oxides under V g=V d |
| Auteur: |
Mu, Fuchen Xu, Mingzhen Tan, Changhua Duan, Xiaorong |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 41 (2001) nr. 11 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 21 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |