|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 16 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of avalanche breakdown in bipolar transistors based on majority carrier transportation |
| Auteur: |
Ramkumar, K. Satyam, M. |
| Verschenen in: |
International journal of electronics |
| Paginering: | Jaargang 63 (1987) nr. 4 pagina's 541-551 |
| Jaar: |
1987 |
| Inhoud: |
This paper describes a new analysis of the avalanche breakdown phenomenon in bipolar transistors for different bias conditions of the emitter-base junction. This analysis revolves around the transportation and storage of majority carriers in the base region. Using this analysis one can compute all the voltage-current characteristics of a transistor under avalanche breakdown. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 16 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |