|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 31 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of rf power on the growth and electrical properties of SrBi2Ta2O9 thin films by plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition |
| Auteur: |
Shin, Woong-Chul Yoon, Soon-Gil |
| Verschenen in: |
Integrated ferroelectrics |
| Paginering: | Jaargang 26 (1999) nr. 1-4 pagina's 153-161 |
| Jaar: |
1999-10-01 |
| Inhoud: |
The SBT films were deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates at 550°C by plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (PEMOCVD). The films were evaluated with different rf plasma power and showed a complete single phase with highly oriented (115) texture without fluorite phase at rf power of 100 W. The SBT films deposited at 100 W have a dielectric constant of 270 and dissipation factor of 0.04 at 100 kHz. The leakage current density of films prepared at 100 W was about 3.0 × 10-8 A/cm2 at 170 kV/cm. The SBT films deposited at 100 W by PEMOCVD showed enough dielectric and leakage properties to apply for nonvolatile memory devices. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 31 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |