|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 31 gevonden artikelen
| Titel: |
New low temperature preparation of ferroelectric Bi4Ti3O12 thin films by MOCVD method |
| Auteur: |
Kijima, Takeshi |
| Verschenen in: |
Integrated ferroelectrics |
| Paginering: | Jaargang 26 (1999) nr. 1-4 pagina's 93-101 |
| Jaar: |
1999-10-01 |
| Inhoud: |
Pt/Bi4Ti3O12(001)/Bi2SiO5(100)/Si(100) structures have been fabricated by the metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) at 500°C. Bi2SiO5 film is used as a buffer layer to grow ferroelectric Bi4Ti3O12 films because of its relatively high dielectric constant (εr=30). The memory window has a C-V characteristic of about 0.8 V, and the retention time estimated by the zero-bias capacitance for the Pt/100-nm-Bi4Ti3O12/30-nm-Bi2SiO5/Si/Al structure is more than 11 days. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 31 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |