|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 5 gevonden artikelen
| Titel: |
Ferroelectricity in DTAAP |
| Auteur: |
Shashikala, M. N. Sangunni, K. S. Bhat, H. L. |
| Verschenen in: |
Ferroelectrics letters section |
| Paginering: | Jaargang 9 (1988) nr. 1 pagina's 19-25 |
| Jaar: |
1988-07-01 |
| Inhoud: |
The results of dielectric studies of deuterated TAAP grown at different temperatures are reported. These results together with the Raman spectral data show that 100% deuteration is possible only if the crystals are grown at low temperatures. The transition temperature continuously increases with increasing deuterium content from 45°C for TAAP to ∼ 87°C for DTAAP indicating that hydrogen bonds play an important role in the ferroelectric transition of this crystal. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 5 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |