|
Study of the microstructure information of GaAs epilayers grown on silicon substrate using synchrotron radiation |
|
|
|
Titel: |
Study of the microstructure information of GaAs epilayers grown on silicon substrate using synchrotron radiation |
Auteur: |
Kumar, Ravi Dixit, V. K. Sinha, A. K. Ganguli, Tapas Mukherjee, C. Oak, S. M. Sharma, T. K. |
Verschenen in: |
Journal of synchrotron radiation |
Paginering: |
Jaargang 23 (2016) nr. 1 pagina's 238-243 |
Jaar: |
2016-01-01 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
International Union of Crystallography, 5 Abbey Square, Chester, Cheshire CH1 2HU, England |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|