Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige    volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 38 van 41 gevonden artikelen
 
 
  Strain relaxation in InGaN/GaN epilayers by formation of V-pit defects studied by SEM, XRD and numerical simulations
 
 
Titel: Strain relaxation in InGaN/GaN epilayers by formation of V-pit defects studied by SEM, XRD and numerical simulations
Auteur: Stránská Matějová, Jana
Horák, Lukáš
Minárik, Peter
Holý, Václav
Grzanka, Ewa
Domagała, Jaroslaw
Leszczyński, Michal
Verschenen in: Journal of applied crystallography
Paginering: Jaargang 54 () nr. 1 pagina's 62-71
Jaar: 2021-02-01
Inhoud:
Uitgever: International Union of Crystallography, 5 Abbey Square, Chester, Cheshire CH1 2HU, England
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 38 van 41 gevonden artikelen
 
<< vorige    volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland