|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 29 van 38 gevonden artikelen
| Titel: |
Recalculation of Intrinsic Carrier Concentration in Silicon at T = 300 K in Presence of Degenerate Doping |
| Auteur: |
Ashraf, Nabil Shovon |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 16 () nr. 1 pagina's 435-439 |
| Jaar: |
2023-09-26 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 29 van 38 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |