|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 35 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of Dual Material Gate Design and Retrograde Channel Doping on β-Ga2O3 MOSFET for High Power and RF Applications |
| Auteur: |
Goyal, Priyanshi Kaur, Harsupreet |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 15 () nr. 4 pagina's 1597-1608 |
| Jaar: |
2022-09-23 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 35 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |