|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 39 gevonden artikelen
| Titel: |
Correction to: Implementation of Band Gap and Gate Oxide Engineering to Improve the Electrical Performance of SiGe/InAs Charged Plasma-based Junctionless-TFET |
| Auteur: |
Kumar, Kaushal Kumar, Ajay Mishra, Varun Sharma, Subhash Chandra |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 15 () nr. 3 pagina's 1315 |
| Jaar: |
2022-09-24 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 39 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |