|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Double Gate Double-Channel AlGaN/GaN MOS HEMT and its Applications to LNA with Sub-1 dB Noise Figure |
| Auteur: |
Vadizadeh, Mahdi Fallahnejad, Mohammad Shaveisi, Maryam Ejlali, Reyhaneh Bajelan, Farshad |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 15 () nr. 2 pagina's 1093-1103 |
| Jaar: |
2022-09-05 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |