|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 29 van 52 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of Gate Length and Doping Variation on the DC and Analog/RF Performance of sub - 3nm Stacked Si Gate-All-Around Nanosheet FET |
| Auteur: |
Yadav, Nisha Jadav, Sunil Saini, Gaurav |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 15 () nr. 1 pagina's 217-228 |
| Jaar: |
2022-07-14 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 29 van 52 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |