|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
A Novel Deep Gate LDMOS Structure Using Double P-Trench to Improve the Breakdown Voltage and the On-State Resistance |
| Auteur: |
Gavoshani, Amir Orouji, Ali A. Abbasi, Abdollah |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 14 () nr. 2 pagina's 597-602 |
| Jaar: |
2021-01-02 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |