|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Modeling, Simulation and Analysis of Surface Potential and Threshold Voltage: Application to High-K Material HfO2 Based FinFET |
| Auteur: |
Panchanan, Suparna Maity, Reshmi Baishya, S. Maity, N. P. |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 13 () nr. 10 pagina's 3271-3289 |
| Jaar: |
2020-10-20 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |