|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 60 gevonden artikelen
| Titel: |
An Asymmetric Nanoscale SOI MOSFET by Means of a P-N Structure as Virtual Hole’s Well at the Source Side |
| Auteur: |
Ramezani, Zeinab Orouji, Ali A. |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 11 (2018) nr. 2 pagina's 761-773 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 60 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |