|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 33 gevonden artikelen
| Titel: |
Growth and dislocation distribution of single Si1-xGex/Si(001) epilayer structures grown by gas source molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Lee, Won Jae Staton-Bevan, Anne |
| Verschenen in: |
Metals and materials international |
| Paginering: | Jaargang 4 (1998) nr. 5 pagina's 1001-1005 |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Korean Institute of Metals and Materials, Seoul |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 33 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |