|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 33 van 64 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of Copper-Doped Titanium Dioxide Interfacial Layers on the Interface-State and Electrical Properties of Si-based MOS Devices |
| Auteur: |
Akin, Seçkİn Sönmezoğlu, Savaş |
| Verschenen in: |
Metallurgical and materials transactions. A, Physical metallurgy and materials science |
| Paginering: | Jaargang 46 (2015) nr. 9 pagina's 4150-4159 |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 33 van 64 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |