|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
Forward gated-diode method for extracting hot-carrier-stress-induced back interface traps in SOI/NMOSFETs |
| Auteur: |
He, Jin Zhang, Xing Huang, Ru Wang, Yangyuan |
| Verschenen in: |
Journal of electronics (China) |
| Paginering: | Jaargang 19 (2002) nr. 3 pagina's 332-336 |
| Jaar: |
2002 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Science Press, Beijing |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 21 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |