|
Exciton localization behaviour in different well width undoped GaN/Al0.07Ga0.93N nanostructures |
|
|
|
Titel: |
Exciton localization behaviour in different well width undoped GaN/Al0.07Ga0.93N nanostructures |
Auteur: |
Sabooni, M. Esmaeili, M. Haratizadeh, H. Monemar, B. Paskov, P. Kamiyama, S. Iwaya, M. Amano, H. Akasaki, I. |
Verschenen in: |
Opto-electronics review |
Paginering: |
Jaargang 15 (2007) nr. 3 pagina's 163-167 |
Jaar: |
2007 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Versita, Warsaw |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|