|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 27 van 38 gevonden artikelen
| Titel: |
Photoluminescence properties of p-type InGaAsN grown by RF plasma-assisted molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Xie, S.Y. Yoon, S.F. Wang, S.Z. |
| Verschenen in: |
Applied physics. Part A, Materials science and processing |
| Paginering: | Jaargang 81 (2004) nr. 5 pagina's 987-990 |
| Jaar: |
2004 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Berlin Heidelberg, Berlin/Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 27 van 38 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |