|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 101 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of deep level defects in nitrogen post-deposition annealed Ga2O3/SiC hetero-structured Schottky diodes grown by mist-CVD |
| Auteur: |
Lee, Tae-Hee Park, Se-Rim Choi, Ji-Soo Chung, Seung-Hwan Kim, Min-Yeong Lee, Geon-Hee Cho, Seong-Ho Bae, Si-Young Kim, Il Ryong Kim, Min Kyu Lim, Byeong Cheol Schweitz, Michael A. Koo, Sang-Mo |
| Verschenen in: |
Applied physics. Part A, Materials science and processing |
| Paginering: | Jaargang 130 () nr. 10 pagina's xx |
| Jaar: |
2024-09-10 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Berlin Heidelberg, Berlin/Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 101 gevonden artikelen
| volgende >> |