|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 50 gevonden artikelen
| Titel: |
Comparative study of gate oxide in 4H-SiC lateral MOSFETs subjected to post-deposition-annealing in N2O and POCl3 |
| Auteur: |
Fiorenza, P. Swanson, L. K. Vivona, M. Giannazzo, F. Bongiorno, C. Frazzetto, A. Roccaforte, F. |
| Verschenen in: |
Applied physics. Part A, Materials science and processing |
| Paginering: | Jaargang 115 (2013) nr. 1 pagina's 333-339 |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Berlin Heidelberg, Berlin/Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 50 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |