|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 5 gevonden artikelen
| Titel: |
The Effect of Defects with Deep Levels on the C–V Characteristics of High-Power AlGaN/GaN/SiC HEMTs |
| Auteur: |
Enisherlova, K. L. Kolkovskii, Yu. V. Bobrova, E. A. Temper, E. M. Kapilin, S. A. |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 48 (2018) nr. 1 pagina's 28-36 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 5 gevonden artikelen
| << vorige |