|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 9 gevonden artikelen
| Titel: |
Nonvolatile memory cells based on the effect of resistive switching in depth-graded ternary HfxAl1 − xOy oxide films |
| Auteur: |
Orlov, O. M. Chuprik, A. A. Baturin, A. S. Gornev, E. S. Bulakh, K. V. Egorov, K. V. Kuzin, A. A. Negrov, D. V. Zaitsev, S. A. Markeev, A. M. Lebedinskii, Yu. Yu. Zablotskii, A. V. |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 43 (2014) nr. 4 pagina's 239-245 |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 9 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |