|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
Improvements in the Quasi-static CapacitanceVoltage Characterization of SemiconductorInsulator Interface States (Si/SiO2) |
| Auteur: |
I. B. Gulyaev A. G. Zhdan N. F. Kukharskaya R. D. Tikhonov G. V. Chucheva |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 33 (2004) nr. 4 pagina's 12 p. |
| Jaar: |
2004-07/08-/08 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic/Plenum Publishers, New York, U.S.A. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |