|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 16 gevonden artikelen
| Titel: |
Stationary High-Field Domain in Si : Zn at the Excitation Threshold of Recombination Waves |
| Auteur: |
A. V. Gostev B. V. Kornilov V. V. Privezentsev E. I. Rau |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 32 (2003) nr. 5 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2003-09/10-/10 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic/Plenum Publishers, New York, U.S.A. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 16 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |