|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Characterization of Selectively Doped InAs-Quantum-Dot GaAs-Based Multilayer Heterostructures by High-Resolution X-ray Diffraction |
| Auteur: |
Pashaev, E. M. Yakunin, S. N. Zaitsev, A. A. Mokerov, V. G. Fedorov, Yu. V. Imamov, R. M. |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 31 (2002) nr. 5 pagina's 310-317 |
| Jaar: |
2002 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers-Plenum Publishers, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |