|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 14 van 75 gevonden artikelen
| Titel: |
Effects of annealing and Nb doping on the electrical properties of p-Si/n-β-Ga2O3:Nb heterojunction |
| Auteur: |
Zhang, Hao Deng, Jinxiang He, Yafeng Duan, Ping Liang, Xiaoyang Li, Ruidong Qin, Changdong Pan, Zhiwei Bai, Zhiying Wang, Jiyou |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 29 (2018) nr. 22 pagina's 19028-19033 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 14 van 75 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |