Details van artikel 177 van 199 gevonden artikelen
Temperature dependence of THz emission and junction electric field of GaAs–AlGaAs modulation-doped heterostructures with different i-AlGaAs spacer layer thicknesses
Titel:
Temperature dependence of THz emission and junction electric field of GaAs–AlGaAs modulation-doped heterostructures with different i-AlGaAs spacer layer thicknesses
Auteur:
Bardolaza, Hannah R. Vasquez, John Daniel E. Bacaoco, Miguel Y. de los Reyes, Alexander E. Lopez, Lorenzo P. Somintac, Armando S. Salvador, Arnel A. Estacio, Elmer S. Sarmago, Roland V.
Verschenen in:
Journal of materials science. Materials in electronics
Paginering:
Jaargang 29 () nr. 10 pagina's 8760-8766
Jaar:
2018-03-15
Inhoud:
Uitgever:
Springer US, New York
Bronbestand:
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
Details van artikel 177 van 199 gevonden artikelen