|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 128 van 135 gevonden artikelen
| Titel: |
The effect of growth temperature on structural quality of AlInGaN/AlN/GaN heterostructures grown by MOCVD |
| Auteur: |
Loganathan, R. Balaji, M. Prabakaran, K. Ramesh, R. Jayasakthi, M. Arivazhagan, P. Singh, Shubra Baskar, K. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 26 (2015) nr. 7 pagina's 5373-5380 |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 128 van 135 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |